IMZA65R026M2HXKSA1

IMZA65R026M2HXKSA1 Infineon Technologies


infineon-imza65r026m2h-datasheet-v01_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+885.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZA65R026M2HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMZA65R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції IMZA65R026M2HXKSA1 за ціною від 581.08 грн до 1192.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMZA65R026M2HXKSA1 IMZA65R026M2HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMZA65R026M2H_DataSheet_v01_00_EN-3518003.pdf SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+922.47 грн
10+799.49 грн
25+694.46 грн
100+601.22 грн
240+581.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R026M2HXKSA1 IMZA65R026M2HXKSA1 Виробник : INFINEON 4421064.pdf Description: INFINEON - IMZA65R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1192.41 грн
5+1025.89 грн
10+873.60 грн
50+765.36 грн
100+662.73 грн
250+644.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R026M2HXKSA1 IMZA65R026M2HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imza65r026m2h-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.