IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 632.32 грн |
| 25+ | 523.29 грн |
| 100+ | 518.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZA65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 59 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 189W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IMZA65R027M1HXKSA1 за ціною від 497.37 грн до 1165.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IMZA65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IMZA65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package |
на замовлення 16560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IMZA65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IMZA65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IMZA65R027M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 59 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 189W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IMZA65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IMZA65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V Power Dissipation (Max): 189W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V |
на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IMZA65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
 |
IMZA65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 59A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IMZA65R027M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package |
товару немає в наявності |
|||||||||
| IMZA65R027M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolSiC™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41A Pulsed drain current: 184A Power dissipation: 189W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...23V On-state resistance: 35mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
| IMZA65R027M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolSiC™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41A Pulsed drain current: 184A Power dissipation: 189W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...23V On-state resistance: 35mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |