Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMZA65R027M1HXKSA1
IMZA65R027M1HXKSA1

IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies

Infineon_IMZA65R027M1H_DataSheet_v02_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+948.93 грн
10+569.82 грн
480+494.79 грн
1200+487.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMZA65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 59 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 189W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm.

Інші пропозиції IMZA65R027M1HXKSA1 за ціною від 551.17 грн до 1165.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IMZA65R027M1HXKSA1 IMZA65R027M1HXKSA1 INFINEON Infineon-IMZA65R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d997f90532 Description: INFINEON - IMZA65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 59 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 189W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1120.79 грн
5+941.53 грн
10+762.27 грн
50+652.84 грн
100+551.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1 IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMZA65R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d997f90532 Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1165.61 грн
30+682.93 грн
120+586.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon-IMZA65R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d997f90532
IMZA65R027M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 59 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 189W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1120.79 грн
5+941.53 грн
10+762.27 грн
50+652.84 грн
100+551.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon-IMZA65R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d997f90532
IMZA65R027M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1165.61 грн
30+682.93 грн
120+586.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.