Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMZA65R027M1HXKSA1
IMZA65R027M1HXKSA1

IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies

infineonimza65r027m1hdatasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+791.28 грн
25+654.84 грн
100+648.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMZA65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 59 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 189W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm.

Інші пропозиції IMZA65R027M1HXKSA1 за ціною від 791.28 грн до 840.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMZA65R027M1HXKSA1 IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimza65r027m1hdatasheetv0202en.pdf CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+791.28 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1 IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimza65r027m1hdatasheetv0202en.pdf CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 16560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+822.96 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1 IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimza65r027m1hdatasheetv0202en.pdf CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+840.36 грн
100+799.11 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1 IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimza65r027m1hdatasheetv0202en.pdf CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+840.36 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1 IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies infineon_imza65r027m1h_datasheet_en.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1 IMZA65R027M1HXKSA1 INFINEON 3049636.pdf Description: INFINEON - IMZA65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 59 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 189W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1 IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimza65r027m1hdatasheetv0202en.pdf CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1 infineonimza65r027m1hdatasheetv0202en.pdf
IMZA65R027M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+791.28 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1 infineonimza65r027m1hdatasheetv0202en.pdf
IMZA65R027M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 16560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+822.96 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1 infineonimza65r027m1hdatasheetv0202en.pdf
IMZA65R027M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
43+840.36 грн
100+799.11 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1 infineonimza65r027m1hdatasheetv0202en.pdf
IMZA65R027M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
43+840.36 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1 infineon_imza65r027m1h_datasheet_en.pdf
IMZA65R027M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1 3049636.pdf
IMZA65R027M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 59 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 189W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1 infineonimza65r027m1hdatasheetv0202en.pdf
IMZA65R027M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.