Продукція > INFINEON > IMZA65R030M1HXKSA1
IMZA65R030M1HXKSA1

IMZA65R030M1HXKSA1 INFINEON

3629238.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+941.85 грн
5+779.04 грн
10+615.42 грн
50+556.34 грн
100+498.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZA65R030M1HXKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IMZA65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 53A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 197W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IMZA65R030M1HXKSA1 за ціною від 852.64 грн до 1561.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMZA65R030M1HXKSA1 IMZA65R030M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMZA65R030M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627862c3e501786e0337d93c59 Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1162.54 грн
30+905.92 грн
120+852.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1 IMZA65R030M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMZA65R030M1H_DataSheet_v02_00_EN-3163928.pdf MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1561.14 грн
10+1423.68 грн
100+1065.27 грн
480+981.82 грн
1200+958.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imza65r030m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Silicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1298.25 грн
10+1228.17 грн
100+1105.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imza65r030m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Silicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+1355.58 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imza65r030m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Silicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+1398.11 грн
10+1322.65 грн
100+1190.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imza65r030m1h-datasheet-v02_00-en.pdf SP005423795
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.