Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMZA65R030M1HXKSA1
IMZA65R030M1HXKSA1

IMZA65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies

Infineon_IMZA65R030M1H_DataSheet_v02_00_EN-2898628.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+868.35 грн
10+854.32 грн
25+484.22 грн
100+422.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZA65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMZA65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 53A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 197W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.

Інші пропозиції IMZA65R030M1HXKSA1 за ціною від 436.99 грн до 1174.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IMZA65R030M1HXKSA1 IMZA65R030M1HXKSA1 INFINEON Infineon-IMZA65R030M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627862c3e501786e0337d93c59 Description: INFINEON - IMZA65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+878.21 грн
5+704.71 грн
10+531.20 грн
50+483.33 грн
100+436.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1 IMZA65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMZA65R030M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627862c3e501786e0337d93c59 Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1174.33 грн
30+915.10 грн
120+861.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1 Infineon-IMZA65R030M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627862c3e501786e0337d93c59
IMZA65R030M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+878.21 грн
5+704.71 грн
10+531.20 грн
50+483.33 грн
100+436.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R030M1HXKSA1 Infineon-IMZA65R030M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627862c3e501786e0337d93c59
IMZA65R030M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1174.33 грн
30+915.10 грн
120+861.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.