IMZA65R033M2HXKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 522.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZA65R033M2HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZA65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 53A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 194W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції IMZA65R033M2HXKSA1 за ціною від 359.29 грн до 959.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZA65R033M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IMZA65R033M2HXKSA1Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V Power Dissipation (Max): 194W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMZA65R033M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMZA65R033M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2 |
на замовлення 6319 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMZA65R033M2HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 194W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMZA65R033M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |