Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMZA65R033M2HXKSA1
IMZA65R033M2HXKSA1

IMZA65R033M2HXKSA1 Infineon Technologies

infineonimza65r033m2hdatasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+528.71 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZA65R033M2HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMZA65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 53A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 194W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції IMZA65R033M2HXKSA1 за ціною від 403.47 грн до 780.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMZA65R033M2HXKSA1 IMZA65R033M2HXKSA1 Infineon Technologies IMZA65R033M2HXKSA1.pdf Description: IMZA65R033M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+702.76 грн
30+403.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R033M2HXKSA1 IMZA65R033M2HXKSA1 Infineon Technologies infineonimza65r033m2hdatasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+780.19 грн
10+582.47 грн
30+576.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R033M2HXKSA1 IMZA65R033M2HXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IMZA65R033M2H_DataSheet_v01_00_EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
на замовлення 6319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R033M2HXKSA1 IMZA65R033M2HXKSA1 INFINEON 4421065.pdf Description: INFINEON - IMZA65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R033M2HXKSA1 IMZA65R033M2HXKSA1.pdf
IMZA65R033M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IMZA65R033M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+702.76 грн
30+403.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R033M2HXKSA1 infineonimza65r033m2hdatasheetv0100en.pdf
IMZA65R033M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+780.19 грн
10+582.47 грн
30+576.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R033M2HXKSA1 Infineon_IMZA65R033M2H_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IMZA65R033M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
на замовлення 6319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R033M2HXKSA1 4421065.pdf
IMZA65R033M2HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.