Продукція > INFINEON > IMZA65R039M1HXKSA1
IMZA65R039M1HXKSA1

IMZA65R039M1HXKSA1 INFINEON

Infineon-IMZA65R039M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627862c3e501786e0c5f3b3c68 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R039M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+778.23 грн
5+774.97 грн
10+771.71 грн
50+399.87 грн
100+361.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZA65R039M1HXKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IMZA65R039M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-247, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 176W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IMZA65R039M1HXKSA1 за ціною від 433.22 грн до 1156.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMZA65R039M1HXKSA1 IMZA65R039M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMZA65R039M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627862c3e501786e0c5f3b3c68 Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+868.96 грн
30+667.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1 IMZA65R039M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMZA65R039M1H_DataSheet_v02_00_EN-2898633.pdf SiC MOSFETs Y
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+971.90 грн
10+865.39 грн
100+622.62 грн
480+542.07 грн
1200+471.68 грн
2640+454.26 грн
5040+433.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imza65r039m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Silicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1074.01 грн
10+1014.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imza65r039m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Silicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+1156.63 грн
12+1092.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imza65r039m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Silicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imza65r039m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Silicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.