IMZA65R040M2HXKSA1 Infineon Technologies


infineon-imza65r040m2h-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V
на замовлення 1261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+616.90 грн
30+349.20 грн
120+295.45 грн
510+258.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZA65R040M2HXKSA1 Infineon Technologies

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22.9A, 20V, Power Dissipation (Max): 172W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IMZA65R040M2HXKSA1 за ціною від 270.65 грн до 659.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IMZA65R040M2HXKSA1 IMZA65R040M2HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMZA65R040M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+659.48 грн
10+383.39 грн
100+285.45 грн
480+270.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R040M2HXKSA1 Infineon-IMZA65R040M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+659.48 грн
10+383.39 грн
100+285.45 грн
480+270.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.