Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMZA65R048M1HXKSA1
IMZA65R048M1HXKSA1

IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies

infineonimza65r048m1hdatasheetv0201en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
170+498.65 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm.

Інші пропозиції IMZA65R048M1HXKSA1 за ціною від 415.08 грн до 959.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMZA65R048M1HXKSA1 IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimza65r048m1hdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+536.20 грн
100+509.28 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1 IMZA65R048M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZA65R048M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d9ac090535 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+651.89 грн
5+487.56 грн
10+415.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1 IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMZA65R048M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d9ac090535 Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+742.02 грн
30+423.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1 IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimza65r048m1hdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+959.78 грн
10+708.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1 IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimza65r048m1hdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+959.78 грн
20+708.38 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1 IMZA65R048M1HXKSA1 INFINEON 3049637.pdf Description: INFINEON - IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1 IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMZA65R048M1H-DataSheet-v02_02-EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1 IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimza65r048m1hdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1 infineonimza65r048m1hdatasheetv0201en.pdf
IMZA65R048M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
66+536.20 грн
100+509.28 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon-IMZA65R048M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d9ac090535
IMZA65R048M1HXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+651.89 грн
5+487.56 грн
10+415.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon-IMZA65R048M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d9ac090535
IMZA65R048M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+742.02 грн
30+423.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1 infineonimza65r048m1hdatasheetv0201en.pdf
IMZA65R048M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+959.78 грн
10+708.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1 infineonimza65r048m1hdatasheetv0201en.pdf
IMZA65R048M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+959.78 грн
20+708.38 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1 3049637.pdf
IMZA65R048M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon-IMZA65R048M1H-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IMZA65R048M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1 infineonimza65r048m1hdatasheetv0201en.pdf
IMZA65R048M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.