Технічний опис IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm.
Інші пропозиції IMZA65R048M1HXKSA1 за ціною від 431.66 грн до 964.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZA65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IMZA65R048M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W Mounting: THT Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 24A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...23V Kind of package: tube Case: TO247-4 On-state resistance: 63mΩ Pulsed drain current: 100A |
на замовлення 170 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IMZA65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IMZA65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IMZA65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 323 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
IMZA65R048M1HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
IMZA65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 170 шт В кошику од. на суму грн. |
| IMZA65R048M1HXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 66+ | 538.61 грн |
| 100+ | 511.56 грн |
| IMZA65R048M1HXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Mounting: THT
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 63mΩ
Pulsed drain current: 100A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Mounting: THT
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 63mΩ
Pulsed drain current: 100A
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 677.93 грн |
| 5+ | 507.03 грн |
| 10+ | 431.66 грн |
| IMZA65R048M1HXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 964.08 грн |
| 10+ | 711.56 грн |
| IMZA65R048M1HXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 964.08 грн |
| 20+ | 711.56 грн |
| IMZA65R048M1HXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IMZA65R048M1HXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
Description: INFINEON - IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMZA65R048M1HXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)