IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 836.28 грн |
| 30+ | 652.2 грн |
| 120+ | 613.83 грн |
| 510+ | 522.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +23V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IMZA65R048M1HXKSA1 за ціною від 557.2 грн до 1130.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZA65R048M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm |
на замовлення 361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMZA65R048M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMZA65R048M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMZA65R048M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 1259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMZA65R048M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IMZA65R048M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IMZA65R048M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| IMZA65R048M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 100A Gate-source voltage: -5...23V Case: TO247-4 Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A On-state resistance: 63mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| IMZA65R048M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 100A Gate-source voltage: -5...23V Case: TO247-4 Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A On-state resistance: 63mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: tube |
товар відсутній |