IMZA65R050M2HXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 433.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZA65R050M2HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZA65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 153W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IMZA65R050M2HXKSA1 за ціною від 315.53 грн до 686.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IMZA65R050M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMZA65R050M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 816 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMZA65R050M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V Power Dissipation (Max): 153W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMZA65R050M2HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 153W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IMZA65R050M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |