IMZA65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 299.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZA65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZA65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 133W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IMZA65R057M1HXKSA1 за ціною від 290.52 грн до 832.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZA65R057M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IMZA65R057M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IMZA65R057M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IMZA65R057M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247 tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 133W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IMZA65R057M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IMZA65R057M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
IMZA65R057M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IMZA65R057M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
IMZA65R057M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IMZA65R057M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V Power Dissipation (Max): 133W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +20V, -2V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |