Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMZA65R057M1HXKSA1
IMZA65R057M1HXKSA1

IMZA65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies

infineonimza65r057m1hdatasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+370.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZA65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMZA65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 133W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm.

Інші пропозиції IMZA65R057M1HXKSA1 за ціною від 636.05 грн до 956.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMZA65R057M1HXKSA1 IMZA65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimza65r057m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+636.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1 IMZA65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimza65r057m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+718.37 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1 IMZA65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimza65r057m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+956.62 грн
25+912.45 грн
50+875.73 грн
100+814.69 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1 IMZA65R057M1HXKSA1 INFINEON Infineon-IMZA65R057M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627862c3e501786e0c74563c6b Description: INFINEON - IMZA65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 133W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1 IMZA65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IMZA65R057M1H_DataSheet_v02_00_EN-2898636.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1 IMZA65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimza65r057m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1 infineonimza65r057m1hdatasheetv0202en.pdf
IMZA65R057M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+636.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1 infineonimza65r057m1hdatasheetv0202en.pdf
IMZA65R057M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+718.37 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1 infineonimza65r057m1hdatasheetv0202en.pdf
IMZA65R057M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+956.62 грн
25+912.45 грн
50+875.73 грн
100+814.69 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1 Infineon-IMZA65R057M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627862c3e501786e0c74563c6b
IMZA65R057M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 133W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1 Infineon_IMZA65R057M1H_DataSheet_v02_00_EN-2898636.pdf
IMZA65R057M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R057M1HXKSA1 infineonimza65r057m1hdatasheetv0202en.pdf
IMZA65R057M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.