IMZA65R057M1HXKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 835.05 грн |
| 5+ | 755.67 грн |
| 10+ | 676.28 грн |
| 50+ | 593.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZA65R057M1HXKSA1 INFINEON
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V, Power Dissipation (Max): 133W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +20V, -2V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IMZA65R057M1HXKSA1 за ціною від 560.13 грн до 1090.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZA65R057M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IMZA65R057M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 137280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IMZA65R057M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IMZA65R057M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IMZA65R057M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
IMZA65R057M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V Power Dissipation (Max): 133W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +20V, -2V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V |
товар відсутній |