IMZA65R072M1HXKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 267.32 грн |
| 5+ | 264.82 грн |
| 10+ | 262.32 грн |
| 50+ | 241.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZA65R072M1HXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IMZA65R072M1HXKSA1 за ціною від 262.96 грн до 576.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package |
на замовлення 164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package |
на замовлення 3120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package |
на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package |
товару немає в наявності |
|||||||||
| IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolSiC™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A Pulsed drain current: 69A Power dissipation: 96W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...23V On-state resistance: 94mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||
| IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolSiC™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A Pulsed drain current: 69A Power dissipation: 96W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...23V On-state resistance: 94mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |