IMZA65R072M1HXKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 261.31 грн |
| 5+ | 258.87 грн |
| 10+ | 256.42 грн |
| 50+ | 235.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZA65R072M1HXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IMZA65R072M1HXKSA1 за ціною від 264.87 грн до 840.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs Y |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package |
на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package |
на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IMZA65R072M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IMZA65R072M1HXKSA1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |