Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMZA65R072M1HXKSA1
IMZA65R072M1HXKSA1

IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies

infineonimza65r072m1hdatasheetv0203en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+348.79 грн
480+332.68 грн
1200+332.40 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMZA65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IMZA65R072M1HXKSA1 за ціною від 259.72 грн до 566.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMZA65R072M1HXKSA1 IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimza65r072m1hdatasheetv0203en.pdf CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+348.79 грн
480+332.68 грн
1200+332.40 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1 IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimza65r072m1hdatasheetv0203en.pdf CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+357.87 грн
10+357.31 грн
25+326.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1 IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimza65r072m1hdatasheetv0203en.pdf CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+414.61 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1 IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimza65r072m1hdatasheetv0203en.pdf CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+423.81 грн
100+402.74 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1 IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimza65r072m1hdatasheetv0203en.pdf CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+521.69 грн
50+517.94 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1 IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMZA65R072M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85e97cf305b9 Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+552.67 грн
30+306.42 грн
120+259.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1 IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimza65r072m1hdatasheetv0203en.pdf CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+566.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1 IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimza65r072m1hdatasheetv0203en.pdf CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+566.46 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1 IMZA65R072M1HXKSA1 INFINEON Infineon-IMZA65R072M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85e97cf305b9 Description: INFINEON - IMZA65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1 infineonimza65r072m1hdatasheetv0203en.pdf
IMZA65R072M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+348.79 грн
480+332.68 грн
1200+332.40 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1 infineonimza65r072m1hdatasheetv0203en.pdf
IMZA65R072M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+357.87 грн
10+357.31 грн
25+326.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1 infineonimza65r072m1hdatasheetv0203en.pdf
IMZA65R072M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+414.61 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1 infineonimza65r072m1hdatasheetv0203en.pdf
IMZA65R072M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
83+423.81 грн
100+402.74 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1 infineonimza65r072m1hdatasheetv0203en.pdf
IMZA65R072M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+521.69 грн
50+517.94 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon-IMZA65R072M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85e97cf305b9
IMZA65R072M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+552.67 грн
30+306.42 грн
120+259.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1 infineonimza65r072m1hdatasheetv0203en.pdf
IMZA65R072M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+566.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1 infineonimza65r072m1hdatasheetv0203en.pdf
IMZA65R072M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+566.46 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon-IMZA65R072M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85e97cf305b9
IMZA65R072M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.