Продукція > INFINEON > IMZA65R083M1HXKSA1
IMZA65R083M1HXKSA1

IMZA65R083M1HXKSA1 INFINEON

3629241.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+578.79 грн
10+569.83 грн
100+367.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZA65R083M1HXKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IMZA65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IMZA65R083M1HXKSA1 за ціною від 431.04 грн до 934.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMZA65R083M1HXKSA1 IMZA65R083M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMZA65R083M1H_DataSheet_v02_00_EN-3164023.pdf MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+857.61 грн
10+733.54 грн
25+607.38 грн
100+561.66 грн
480+496.35 грн
1200+436.85 грн
2640+431.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1 IMZA65R083M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMZA65R083M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627862c3e501786e0c878f3c6e Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+934.12 грн
10+826.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imza65r083m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Silicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+705.24 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imza65r083m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Silicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+707.67 грн
10+669.92 грн
100+603.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imza65r083m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Silicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+762.10 грн
17+721.45 грн
100+650.29 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R083M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imza65r083m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Silicon Carbide Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.