Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMZA65R083M1HXKSA1
IMZA65R083M1HXKSA1

IMZA65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies

Infineon_IMZA65R083M1H_DataSheet_v02_00_EN-3164023.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+789.01 грн
10+ 674.86 грн
25+ 558.79 грн
100+ 516.73 грн
480+ 456.65 грн
1200+ 401.9 грн
2640+ 396.56 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZA65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +20V, -2V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IMZA65R083M1HXKSA1 за ціною від 496.86 грн до 859.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IMZA65R083M1HXKSA1 IMZA65R083M1HXKSA1 Виробник : INFINEON 3629241.pdf Description: INFINEON - IMZA65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+805.09 грн
5+ 715.97 грн
10+ 626.85 грн
50+ 560.52 грн
100+ 496.86 грн
IMZA65R083M1HXKSA1 IMZA65R083M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMZA65R083M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627862c3e501786e0c878f3c6e Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+859.39 грн
10+ 760.8 грн
IMZA65R083M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imza65r083m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Silicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
240+677.98 грн
Мінімальне замовлення: 240
IMZA65R083M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imza65r083m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Silicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+680.32 грн
10+ 644.03 грн
100+ 580.5 грн
IMZA65R083M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imza65r083m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Silicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+732.65 грн
17+ 693.57 грн
100+ 625.16 грн
Мінімальне замовлення: 16
IMZA65R083M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imza65r083m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Silicon Carbide Power Mosfet
товар відсутній