IMZA65R107M1HXKSA1

IMZA65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies


infineonimza65r107m1hdatasheetv0202en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 136 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+292.89 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZA65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMZA65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IMZA65R107M1HXKSA1 за ціною від 213.82 грн до 556.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMZA65R107M1HXKSA1 IMZA65R107M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonimza65r107m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+292.89 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1 IMZA65R107M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonimza65r107m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+301.69 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1 IMZA65R107M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMZA65R107M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f859930890460 Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+488.02 грн
30+267.43 грн
120+225.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1 IMZA65R107M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonimza65r107m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+499.76 грн
27+463.71 грн
50+446.51 грн
100+410.02 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1 IMZA65R107M1HXKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0009591555-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IMZA65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+550.33 грн
5+445.70 грн
10+340.23 грн
50+293.03 грн
100+249.34 грн
250+244.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1 IMZA65R107M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMZA65R107M1H_DataSheet_v02_00_EN-1840657.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+556.42 грн
10+524.92 грн
25+280.55 грн
100+235.05 грн
240+234.29 грн
480+213.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1 IMZA65R107M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonimza65r107m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1 IMZA65R107M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imza65r107m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1 IMZA65R107M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonimza65r107m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZA65R107M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f859930890460 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
On-state resistance: 139mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 48A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZA65R107M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f859930890460 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
On-state resistance: 139mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 48A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.