IMZA75R008M1HXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2172.76 грн |
| 10+ | 2113.08 грн |
| 25+ | 1577.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZA75R008M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 90.3A, 20V, Power Dissipation (Max): 517W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 32.4mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 500 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6137 pF @ 500 V.
Інші пропозиції IMZA75R008M1HXKSA1 за ціною від 2259.69 грн до 3484.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZA75R008M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: SILICON CARBIDE MOSFETPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 90.3A, 20V Power Dissipation (Max): 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 32.4mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6137 pF @ 500 V |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|