IMZA75R060M2HXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IMZA75R060M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 13.8A, 20V
Power Dissipation (Max): 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 840 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 500 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 568.27 грн |
| 30+ | 317.76 грн |
| 120+ | 267.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZA75R060M2HXKSA1 Infineon Technologies
Description: IMZA75R060M2HXKSA1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 13.8A, 20V, Power Dissipation (Max): 108W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 840 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 500 V.
Інші пропозиції IMZA75R060M2HXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZA75R060M2HXKSA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IMZA75R060M2HXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
SiC MOSFETs SiC MOSFET, 750 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)