Продукція > INFINEON > IMZA75R140M1HXKSA1
IMZA75R140M1HXKSA1

IMZA75R140M1HXKSA1 INFINEON


Infineon-IMZA75R140M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dcbd2f131495c Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA75R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 16 A, 750 V, 0.129 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+450.19 грн
10+401.66 грн
100+229.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZA75R140M1HXKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IMZA75R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 16 A, 750 V, 0.129 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 86W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IMZA75R140M1HXKSA1 за ціною від 227.51 грн до 490.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMZA75R140M1HXKSA1 IMZA75R140M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMZA75R140M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dcbd2f131495c Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+459.93 грн
10+339.40 грн
30+309.17 грн
120+264.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R140M1HXKSA1 IMZA75R140M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMZA75R140M1H_DataSheet_v02_00_EN-3401816.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+490.82 грн
10+371.44 грн
25+293.90 грн
100+267.04 грн
240+250.63 грн
480+240.94 грн
1200+227.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA75R140M1HXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMZA75R140M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dcbd2f131495c IMZA75R140M1HXKSA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.