Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMZC120R007M2HXKSA1
IMZC120R007M2HXKSA1

IMZC120R007M2HXKSA1 Infineon Technologies

infineon-imzc120r007m2h-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3186.21 грн
30+2039.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZC120R007M2HXKSA1 Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology.

Інші пропозиції IMZC120R007M2HXKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMZC120R007M2HXKSA1 IMZC120R007M2HXKSA1 Infineon Technologies Infineon_12-17-2025_IMZC120R007M2HXKSA1.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R007M2HXKSA1 Infineon_12-17-2025_IMZC120R007M2HXKSA1.pdf
IMZC120R007M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.