IMZC120R012M2HXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IMZC120R012M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 57A, 18V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1713.38 грн |
| 30+ | 1058.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZC120R012M2HXKSA1 Infineon Technologies
Description: IMZC120R012M2HXKSA1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 57A, 18V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-17, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V.
Інші пропозиції IMZC120R012M2HXKSA1 за ціною від 1201.37 грн до 1932.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZC120R012M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2 |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|