IMZC120R017M2HXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 97A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 382W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 800 V
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1262.02 грн |
| 30+ | 758.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZC120R017M2HXKSA1 Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 97A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 40A, 18V, Power Dissipation (Max): 382W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-17, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 800 V.
Інші пропозиції IMZC120R017M2HXKSA1 за ціною від 905.98 грн до 1485.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZC120R017M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|