IMZC120R026M2HXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 988.66 грн |
| 10+ | 855.65 грн |
| 100+ | 643.68 грн |
| 240+ | 622.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZC120R026M2HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZC120R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 289W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції IMZC120R026M2HXKSA1 за ціною від 722.68 грн до 1300.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZC120R026M2HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IMZC120R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 289W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|