IMZC120R040M2HXKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 755.33 грн |
| 10+ | 444.64 грн |
| 100+ | 363.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMZC120R040M2HXKSA1 Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 48A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 18A, 18V, Power Dissipation (Max): 218W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-17, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V.
Інші пропозиції IMZC120R040M2HXKSA1 за ціною від 319.19 грн до 794.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZC120R040M2HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: SICFET N-CH 1200V 48A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 18A, 18V Power Dissipation (Max): 218W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-17 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V |
на замовлення 612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|