Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMZC120R040M2HXKSA1
IMZC120R040M2HXKSA1

IMZC120R040M2HXKSA1 Infineon Technologies

infineon_imzc120r040m2h_datasheet_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+814.31 грн
10+580.63 грн
100+420.75 грн
480+374.43 грн
1200+350.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMZC120R040M2HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMZC120R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 48 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 218W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm.

Інші пропозиції IMZC120R040M2HXKSA1 за ціною від 381.32 грн до 1201.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMZC120R040M2HXKSA1 IMZC120R040M2HXKSA1 Infineon Technologies IMZC120R040M2HXKSA1.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 18A, 18V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+827.14 грн
30+476.51 грн
60+438.37 грн
120+381.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R040M2HXKSA1 IMZC120R040M2HXKSA1 Infineon Technologies infineonimzc120r040m2hdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1201.94 грн
30+717.49 грн
60+659.81 грн
120+589.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R040M2HXKSA1 IMZC120R040M2HXKSA1 Infineon Technologies infineonimzc120r040m2hdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1201.94 грн
30+717.49 грн
60+659.81 грн
120+589.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R040M2HXKSA1 IMZC120R040M2HXKSA1 INFINEON 4421308.pdf Description: INFINEON - IMZC120R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 48 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 218W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R040M2HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IMZC120R040M2HXKSA1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.2kV; 48A; 218W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
Power dissipation: 218W
Case: TO247-4
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
240+566.50 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R040M2HXKSA1 IMZC120R040M2HXKSA1.pdf
IMZC120R040M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 18A, 18V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+827.14 грн
30+476.51 грн
60+438.37 грн
120+381.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R040M2HXKSA1 infineonimzc120r040m2hdatasheeten.pdf
IMZC120R040M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1201.94 грн
30+717.49 грн
60+659.81 грн
120+589.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R040M2HXKSA1 infineonimzc120r040m2hdatasheeten.pdf
IMZC120R040M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+1201.94 грн
30+717.49 грн
60+659.81 грн
120+589.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R040M2HXKSA1 4421308.pdf
IMZC120R040M2HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZC120R040M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 48 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 218W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R040M2HXKSA1 IMZC120R040M2HXKSA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.2kV; 48A; 218W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
Power dissipation: 218W
Case: TO247-4
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+566.50 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.