IPA028N04NM3SXKSA1

IPA028N04NM3SXKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IPA028N04NM3S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cc70b8d6dd6 Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 89A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 20 V
на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.56 грн
10+147.75 грн
100+102.49 грн
500+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA028N04NM3SXKSA1 Infineon Technologies

IPA028N04NM3SXKSA1 THT N channel transistors.

Інші пропозиції IPA028N04NM3SXKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPA028N04NM3SXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA028N04NM3S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cc70b8d6dd6 IPA028N04NM3SXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA028N04NM3SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPA028N04NM3S-DataSheet-v02_01-EN-1859238.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.