IPA028N04NM3SXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 89A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 20 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 245.05 грн |
| 10+ | 153.70 грн |
| 100+ | 106.62 грн |
| 500+ | 81.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA028N04NM3SXKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 63A; Idm: 356A; 38W; TO220FP, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 63A, On-state resistance: 2.8mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 38W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Technology: OptiMOS™ 3, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 356A, Mounting: THT, Case: TO220FP, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPA028N04NM3SXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA028N04NM3SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 63A; Idm: 356A; 38W; TO220FP Drain-source voltage: 40V Drain current: 63A On-state resistance: 2.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 356A Mounting: THT Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
| IPA028N04NM3SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH <= 40V |
товару немає в наявності |
||
|
|
IPA028N04NM3SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 63A; Idm: 356A; 38W; TO220FP Drain-source voltage: 40V Drain current: 63A On-state resistance: 2.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 356A Mounting: THT Case: TO220FP |
товару немає в наявності |