IPA029N06NM5SXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 87A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 87A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 166.82 грн |
10+ | 133.17 грн |
100+ | 106 грн |
500+ | 84.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA029N06NM5SXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 87A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 87A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA, Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V.
Інші пропозиції IPA029N06NM5SXKSA1 за ціною від 67.43 грн до 176.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPA029N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPA029N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPA029N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 8500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPA029N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IPA029N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Power Transistor MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IPA029N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IPA029N06NM5SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; Idm: 348A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 62A Pulsed drain current: 348A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.9mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IPA029N06NM5SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; Idm: 348A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 62A Pulsed drain current: 348A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.9mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |