
IPA029N06NM5SXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
89+ | 138.28 грн |
103+ | 118.96 грн |
109+ | 112.86 грн |
500+ | 91.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA029N06NM5SXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 87A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 87A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA, Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V.
Інші пропозиції IPA029N06NM5SXKSA1 за ціною від 72.69 грн до 181.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA029N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1088 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPA029N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 87A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V |
на замовлення 469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPA029N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
IPA029N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IPA029N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
IPA029N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
IPA029N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IPA029N06NM5SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; Idm: 348A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220FP Drain-source voltage: 60V Drain current: 62A On-state resistance: 2.9mΩ Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 348A Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IPA029N06NM5SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; Idm: 348A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220FP Drain-source voltage: 60V Drain current: 62A On-state resistance: 2.9mΩ Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 348A Mounting: THT |
товару немає в наявності |