IPA029N06NM5SXKSA1

IPA029N06NM5SXKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IPA029N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cd953036de6 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 87A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V
на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+166.82 грн
10+ 133.17 грн
100+ 106 грн
500+ 84.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA029N06NM5SXKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 87A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 87A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA, Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPA029N06NM5SXKSA1 за ціною від 67.43 грн до 176.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPA029N06NM5SXKSA1 IPA029N06NM5SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPA029N06NM5S_DataSheet_v02_01_EN-3362458.pdf MOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+176.03 грн
10+ 144.34 грн
100+ 100.14 грн
250+ 92.13 грн
500+ 83.45 грн
1000+ 71.43 грн
2500+ 67.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPA029N06NM5SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa029n06nm5s-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
115+102.45 грн
116+ 101.45 грн
118+ 99.46 грн
Мінімальне замовлення: 115
IPA029N06NM5SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa029n06nm5s-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+103.95 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPA029N06NM5SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa029n06nm5s-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPA029N06NM5SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa029n06nm5s-datasheet-v02_01-en.pdf Power Transistor MOSFET
товар відсутній
IPA029N06NM5SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa029n06nm5s-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
IPA029N06NM5SXKSA1 IPA029N06NM5SXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA029N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cd953036de6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; Idm: 348A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 348A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPA029N06NM5SXKSA1 IPA029N06NM5SXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA029N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cd953036de6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; Idm: 348A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 348A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній