IPA029N06NXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 196.97 грн |
| 69+ | 170.64 грн |
| 100+ | 162.84 грн |
| 200+ | 156.09 грн |
| 500+ | 133.21 грн |
| 1000+ | 121.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA029N06NXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA029N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.0026 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPA029N06NXKSA1 за ціною від 98.14 грн до 243.4 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA029N06NXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 60V 84A TO220-FPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 84A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 75µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 30 V |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPA029N06NXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MV POWER MOS |
на замовлення 500 шт: термін постачання 161-170 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPA029N06NXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA029N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.0026 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPA029N06NXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPA029N06NXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPA029N06NXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IPA029N06NXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 84A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.9mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPA029N06NXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 84A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.9mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |