
IPA030N10NF2SXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 92.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA030N10NF2SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA030N10NF2SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 83 A, 0.0026 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 83A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPA030N10NF2SXKSA1 за ціною від 98.70 грн до 351.90 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA030N10NF2SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA030N10NF2SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V |
на замовлення 2870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA030N10NF2SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA030N10NF2SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA030N10NF2SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA030N10NF2SXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA030N10NF2SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA030N10NF2SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
IPA030N10NF2SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPA030N10NF2SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPA030N10NF2SXKSA1 Код товару: 183514
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() Корпус: TO-220FP Uds,V: 100 V Idd,A: 83 A Rds(on), Ohm: 3 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 7300/103 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
![]() |
IPA030N10NF2SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IPA030N10NF2SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IPA030N10NF2SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |