IPA032N06N3GXKSA1

IPA032N06N3GXKSA1 Infineon Technologies


ipa032n06n3_rev2.0._pdf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA032N06N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-31, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPA032N06N3GXKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPA032N06N3GXKSA1 IPA032N06N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA032N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPA032N06N3GXKSA1 IPA032N06N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipa032n06n3_rev2.0._pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
IPA032N06N3GXKSA1 IPA032N06N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPA032N06N3_Rev2+0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a3043284aacd8012882aa847a5419 Description: MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
товар відсутній
IPA032N06N3GXKSA1 IPA032N06N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPA032N06N3_Rev2+0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a3043284aacd8012882aa847a5419 MOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
IPA032N06N3GXKSA1 IPA032N06N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA032N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній