IPA037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V.
Інші пропозиції IPA037N08N3GXKSA1 за ціною від 134.55 грн до 298.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA037N08N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-FPPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V |
на замовлення 90113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPA037N08N3GXKSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA037N08N3GXKSA1 - POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 75A, 80V, tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPA037N08N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 75A; 41W; TO220FP Mounting: THT Case: TO220FP Drain-source voltage: 80V Drain current: 75A On-state resistance: 3.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 41W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPA037N08N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 75A; 41W; TO220FP Mounting: THT Case: TO220FP Drain-source voltage: 80V Drain current: 75A On-state resistance: 3.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 41W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPA037N08N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |