
IPA040N06NM5SXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 57.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA040N06NM5SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA040N06NM5SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 72 A, 0.0036 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 72, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 36, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36, Bauform - Transistor: TO-220FP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPA040N06NM5SXKSA1 за ціною від 56.65 грн до 187.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA040N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA040N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA040N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA040N06NM5SXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 36 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8 euEccn: NLR Verlustleistung: 36 Bauform - Transistor: TO-220FP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA040N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 432 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA040N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 72A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V |
на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IPA040N06NM5SXKSA1 Код товару: 183150
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
IPA040N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
IPA040N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IPA040N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IPA040N06NM5SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 51A; Idm: 288A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220FP Drain-source voltage: 60V Drain current: 51A On-state resistance: 4mΩ Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 288A Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IPA040N06NM5SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 51A; Idm: 288A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220FP Drain-source voltage: 60V Drain current: 51A On-state resistance: 4mΩ Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 288A Mounting: THT |
товару немає в наявності |