Технічний опис IPA040N06NXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA040N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69 A, 4000 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPA040N06NXKSA1 за ціною від 59.24 грн до 349.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA040N06NXKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPA040N06NXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPA040N06NXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPA040N06NXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPA040N06NXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPA040N06NXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 69A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 69A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V |
на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPA040N06NXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 69A Power dissipation: 36W Case: TO220FP On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube |
на замовлення 86 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPA040N06NXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPA040N06NXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA040N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69 A, 4000 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
IPA040N06NXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs MV POWER MOS |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPA040N06NXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 139+ | 101.18 грн |
| IPA040N06NXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 105.35 грн |
| IPA040N06NXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 106.45 грн |
| 2000+ | 97.28 грн |
| 3000+ | 90.51 грн |
| 4000+ | 82.31 грн |
| IPA040N06NXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 255+ | 138.15 грн |
| 500+ | 124.10 грн |
| IPA040N06NXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 141.93 грн |
| IPA040N06NXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 69A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 69A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 143.17 грн |
| 50+ | 66.21 грн |
| 100+ | 59.24 грн |
| IPA040N06NXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 194.24 грн |
| 50+ | 89.77 грн |
| IPA040N06NXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 349.45 грн |
| 50+ | 173.32 грн |
| 100+ | 156.18 грн |
| 500+ | 121.59 грн |
| 1000+ | 103.95 грн |
| IPA040N06NXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA040N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69 A, 4000 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPA040N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69 A, 4000 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPA040N06NXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MV POWER MOS
MOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)