IPA040N08NM5SXKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPA040N08NM5SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 3400 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 226.43 грн |
| 10+ | 188.11 грн |
| 100+ | 165.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA040N08NM5SXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPA040N08NM5SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 3400 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPA040N08NM5SXKSA1 за ціною від 133.10 грн до 299.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA040N08NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 109µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 40 V |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| IPA040N08NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Power Transistor MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
IPA040N08NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
товару немає в наявності |