IPA040N08NM5SXKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA040N08NM5SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 3400 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA040N08NM5SXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPA040N08NM5SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 3400 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 39W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm.
Інші пропозиції IPA040N08NM5SXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA040N08NM5SXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 109µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IPA040N08NM5SXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPA040N08NM5SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 109µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 40 V
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 109µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPA040N08NM5SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Y
MOSFETs Y
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.