IPA041N04NGXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 441+ | 70.65 грн |
| 500+ | 63.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA041N04NGXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPA041N04NGXKSA1 за ціною від 34.45 грн до 202.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA041N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO220-FPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA041N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MV POWER MOS |
на замовлення 443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPA041N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA041N04NGXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPA041N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPA041N04NGXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA041N04NGXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 130 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IPA041N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPA041N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IPA041N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |