Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA041N04NGXKSA1
IPA041N04NGXKSA1

IPA041N04NGXKSA1 Infineon Technologies

6147ds_ipa041n04n_g_2_0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
441+80.34 грн
500+72.31 грн
Мінімальне замовлення: 441 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA041N04NGXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPA041N04NGXKSA1 за ціною від 52.75 грн до 169.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPA041N04NGXKSA1 IPA041N04NGXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA041N04N_G-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d46145460399014560aaf8193f1c Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.66 грн
50+58.98 грн
100+52.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA041N04NGXKSA1 IPA041N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA041N04NG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+157.15 грн
50+79.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA041N04NGXKSA1 IPA041N04NGXKSA1 Infineon Technologies 6147ds_ipa041n04n_g_2_0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA041N04NGXKSA1 IPA041N04NGXKSA1 Infineon Technologies 6147ds_ipa041n04n_g_2_0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+169.46 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA041N04NGXKSA1 IPA041N04NGXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPA041N04N_G_DS_v02_00_en-1731717.pdf MOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA041N04NGXKSA1 IPA041N04NGXKSA1 INFINEON 2354723.pdf Description: INFINEON - IPA041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA041N04NGXKSA1 Infineon-IPA041N04N_G-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d46145460399014560aaf8193f1c
IPA041N04NGXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.66 грн
50+58.98 грн
100+52.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA041N04NGXKSA1 IPA041N04NG-DTE.pdf
IPA041N04NGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+157.15 грн
50+79.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA041N04NGXKSA1 6147ds_ipa041n04n_g_2_0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf
IPA041N04NGXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+169.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA041N04NGXKSA1 6147ds_ipa041n04n_g_2_0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf
IPA041N04NGXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
84+169.46 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA041N04NGXKSA1 Infineon_IPA041N04N_G_DS_v02_00_en-1731717.pdf
IPA041N04NGXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA041N04NGXKSA1 2354723.pdf
IPA041N04NGXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.