на замовлення 2123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 247.01 грн |
| 10+ | 126.09 грн |
| 100+ | 96.79 грн |
| 500+ | 78.64 грн |
| 1000+ | 71.53 грн |
| 2500+ | 69.56 грн |
| 5000+ | 68.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA050N10NM5SXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 66A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 33A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA, Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IPA050N10NM5SXKSA1 за ціною від 84.43 грн до 253.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA050N10NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 66A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V |
на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IPA050N10NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Power Transistor MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
IPA050N10NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IPA050N10NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IPA050N10NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IPA050N10NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IPA050N10NM5SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 264A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 47A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 264A Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IPA050N10NM5SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 264A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 47A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 264A Technology: OptiMOS™ 3 |
товару немає в наявності |