| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 224.49 грн |
| 10+ | 117.53 грн |
| 100+ | 84.58 грн |
| 500+ | 64.28 грн |
| 1000+ | 63.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA050N10NM5SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA050N10NM5SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 4700 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPA050N10NM5SXKSA1 за ціною від 81.85 грн до 254.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA050N10NM5SXKSA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 66A TO220Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 33A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPA050N10NM5SXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA050N10NM5SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 4700 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPA050N10NM5SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 66A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 100V 66A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 245.81 грн |
| 50+ | 118.70 грн |
| 100+ | 107.27 грн |
| 500+ | 81.85 грн |
| IPA050N10NM5SXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA050N10NM5SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 4700 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPA050N10NM5SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 4700 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 254.91 грн |
| 10+ | 132.39 грн |
| 100+ | 116.77 грн |