IPA050N10NM5SXKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPA050N10NM5SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 0.0047 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 233.62 грн |
| 10+ | 124.48 грн |
| 100+ | 107.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA050N10NM5SXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPA050N10NM5SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 0.0047 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPA050N10NM5SXKSA1 за ціною від 69.32 грн до 254.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA050N10NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 2123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA050N10NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 66A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V |
на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPA050N10NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Power Transistor MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
IPA050N10NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPA050N10NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPA050N10NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPA050N10NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IPA050N10NM5SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 264A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 47A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 264A Technology: OptiMOS™ 3 |
товару немає в наявності |