IPA057N06N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 46.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA057N06N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA057N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPA057N06N3GXKSA1 за ціною від 61.10 грн до 254.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA057N06N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; 38W; TO220FP Case: TO220FP Drain-source voltage: 60V Drain current: 60A On-state resistance: 5.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPA057N06N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; 38W; TO220FP Case: TO220FP Drain-source voltage: 60V Drain current: 60A On-state resistance: 5.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 79 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPA057N06N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA057N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| IPA057N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon |
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA057N06N3GXKSA1 TIPA057n06n3g кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
IPA057N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IPA057N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 60V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3 |
товару немає в наявності |