IPA057N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 191.85 грн |
| 10+ | 152.45 грн |
| 50+ | 99.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA057N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IPA057N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0049 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, Dauer-Drainstrom Id: 60, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 39, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8, Verlustleistung: 39, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: OptiMOS 3, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IPA057N08N3GXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3 |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPA057N08N3GXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3
Description: MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)