IPA057N08N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 47.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA057N08N3GXKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; 39W; TO220FP, Case: TO220FP, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 60A, On-state resistance: 5.7mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 39W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Technology: OptiMOS™ 3, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: THT, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPA057N08N3GXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA057N08N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3 |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
IPA057N08N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; 39W; TO220FP Case: TO220FP Drain-source voltage: 80V Drain current: 60A On-state resistance: 5.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 39W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
|
|
IPA057N08N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; 39W; TO220FP Case: TO220FP Drain-source voltage: 80V Drain current: 60A On-state resistance: 5.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 39W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT |
товару немає в наявності |