IPA060N06NM5SXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 410+ | 74.47 грн |
| 500+ | 71.30 грн |
| 1000+ | 67.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA060N06NM5SXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 56A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 56A, 10V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA, Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 30 V.
Інші пропозиції IPA060N06NM5SXKSA1 за ціною від 65.90 грн до 114.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPA060N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPA060N06NM5SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 224A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220FP Drain-source voltage: 60V Drain current: 40A On-state resistance: 6mΩ Power dissipation: 33W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 224A Mounting: THT |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPA060N06NM5SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 224A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220FP Drain-source voltage: 60V Drain current: 40A On-state resistance: 6mΩ Power dissipation: 33W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 224A Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 480 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IPA060N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Power Transistor MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
IPA060N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPA060N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPA060N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 56A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPA060N06NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
товару немає в наявності |