
IPA060N06NXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 69.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA060N06NXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA060N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0052 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPA060N06NXKSA1 за ціною від 50.64 грн до 194.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA060N06NXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA060N06NXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA060N06NXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA060N06NXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V |
на замовлення 637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA060N06NXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA060N06NXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA060N06NXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA060N06NXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IPA060N06NXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IPA060N06NXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220FP Drain-source voltage: 60V Drain current: 45A On-state resistance: 6mΩ Power dissipation: 33W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IPA060N06NXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220FP Drain-source voltage: 60V Drain current: 45A On-state resistance: 6mΩ Power dissipation: 33W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT |
товару немає в наявності |