IPA075N15N3GXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 75 V
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 461.22 грн |
| 50+ | 235.73 грн |
| 100+ | 220.55 грн |
| 500+ | 178.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA075N15N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA075N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.0059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPA075N15N3GXKSA1 за ціною від 178.49 грн до 484.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA075N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 150V 43A TO220FP-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPA075N15N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA075N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.0059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IPA075N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA075N15N3GXKSA1 TIPA075n15n3g кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|