IPA082N10NF2SXKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPA082N10NF2SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.0073 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 87.62 грн |
| 11+ | 70.7 грн |
| 100+ | 54.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA082N10NF2SXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPA082N10NF2SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.0073 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPA082N10NF2SXKSA1 за ціною від 42.59 грн до 113.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA082N10NF2SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA082N10NF2SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPA082N10NF2SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005549094 |
товар відсутній |