IPA082N10NF2SXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 58.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA082N10NF2SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA082N10NF2SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.0073 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPA082N10NF2SXKSA1 за ціною від 42.87 грн до 169.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA082N10NF2SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V |
на замовлення 2430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPA082N10NF2SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 25500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPA082N10NF2SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPA082N10NF2SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPA082N10NF2SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPA082N10NF2SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPA082N10NF2SXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA082N10NF2SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.0073 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPA082N10NF2SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPA082N10NF2SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IPA082N10NF2SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005549094 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
IPA082N10NF2SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPA082N10NF2SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |