Технічний опис IPA082N10NF2SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA082N10NF2SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 7300 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 35W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm.
Інші пропозиції IPA082N10NF2SXKSA1 за ціною від 48.80 грн до 197.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA082N10NF2SXKSA1 | Infineon Technologies |
 Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V |
на замовлення 7028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IPA082N10NF2SXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 25500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IPA082N10NF2SXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IPA082N10NF2SXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IPA082N10NF2SXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IPA082N10NF2SXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IPA082N10NF2SXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IPA082N10NF2SXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
на замовлення 544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
IPA082N10NF2SXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA082N10NF2SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 7300 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 35W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPA082N10NF2SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 7028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 280+ | 72.68 грн |
| IPA082N10NF2SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 78.00 грн |
| 13000+ | 71.27 грн |
| 19500+ | 66.31 грн |
| IPA082N10NF2SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 179+ | 79.34 грн |
| IPA082N10NF2SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 350+ | 101.06 грн |
| 500+ | 90.95 грн |
| 1000+ | 83.87 грн |
| IPA082N10NF2SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 167.70 грн |
| 10+ | 92.84 грн |
| 100+ | 48.80 грн |
| IPA082N10NF2SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 82+ | 174.44 грн |
| 122+ | 115.98 грн |
| IPA082N10NF2SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 197.60 грн |
| IPA082N10NF2SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPA082N10NF2SXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA082N10NF2SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 7300 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
Description: INFINEON - IPA082N10NF2SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 7300 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)