
IPA083N10N5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 67.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA083N10N5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA083N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0072 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPA083N10N5XKSA1 за ціною від 55.96 грн до 201.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA083N10N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA083N10N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA083N10N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA083N10N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA083N10N5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA083N10N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 50 V |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA083N10N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
IPA083N10N5XKSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPA083N10N5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPA083N10N5XKSA1 Код товару: 190081
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
![]() |
IPA083N10N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |