IPA083N10NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 200A; 36W; TO220FP
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.3mΩ
Drain current: 35A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 36W
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: tube
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 106.88 грн |
| 10+ | 94.21 грн |
| 11+ | 84.71 грн |
| 31+ | 79.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA083N10NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA, Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IPA083N10NM5SXKSA1 за ціною від 69.07 грн до 153.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA083N10NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V |
на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPA083N10NM5SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 200A; 36W; TO220FP Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO220FP Polarisation: unipolar On-state resistance: 8.3mΩ Drain current: 35A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 36W Drain-source voltage: 100V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 352 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IPA083N10NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Power Transistor MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
IPA083N10NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPA083N10NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPA083N10NM5SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
товару немає в наявності |