Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA083N10NM5SXKSA1
IPA083N10NM5SXKSA1

IPA083N10NM5SXKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IPA083N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfe00a06e30
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.80 грн
10+82.27 грн
100+65.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA083N10NM5SXKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA, Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IPA083N10NM5SXKSA1 за ціною від 82.50 грн до 104.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPA083N10NM5SXKSA1 IPA083N10NM5SXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA083N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfe00a06e30 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 200A; 36W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 36W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.16 грн
10+91.66 грн
50+82.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA083N10NM5SXKSA1 IPA083N10NM5SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa083n10nm5s-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA083N10NM5SXKSA1 IPA083N10NM5SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa083n10nm5s-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA083N10NM5SXKSA1 IPA083N10NM5SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPA083N10NM5S_DataSheet_v02_01_EN-1901174.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.