Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA083N10NM5SXKSA1
IPA083N10NM5SXKSA1

IPA083N10NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Infineon-IPA083N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfe00a06e30 Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 200A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.88 грн
10+ 82.76 грн
11+ 73.02 грн
31+ 69.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA083N10NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA, Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IPA083N10NM5SXKSA1 за ціною від 82.61 грн до 134.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPA083N10NM5SXKSA1 IPA083N10NM5SXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA083N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfe00a06e30 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 200A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 485 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+134.81 грн
3+ 116.99 грн
10+ 99.31 грн
11+ 87.62 грн
31+ 83.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPA083N10NM5SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPA083N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfe00a06e30 Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.27 грн
10+ 103.83 грн
100+ 82.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPA083N10NM5SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa083n10nm5s-datasheet-v02_01-en.pdf Power Transistor MOSFET
товар відсутній
IPA083N10NM5SXKSA1 IPA083N10NM5SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPA083N10NM5S_DataSheet_v02_01_EN-1901174.pdf MOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній