
IPA086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 40.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA086N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0075 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37.5W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPA086N10N3GXKSA1 за ціною від 43.74 грн до 179.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA086N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA086N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA086N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA086N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA086N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA086N10N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 37.5W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA086N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V |
на замовлення 2805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IPA086N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPA086N10N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 74 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IPA086N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |