Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA093N06N3GXKSA1
IPA093N06N3GXKSA1

IPA093N06N3GXKSA1 Infineon Technologies

129182569692115dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a3043284aacd.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA093N06N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA093N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0078 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPA093N06N3GXKSA1 за ціною від 43.47 грн до 122.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPA093N06N3GXKSA1 IPA093N06N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPA093N06N3_Rev2+0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a3043284aacd8012882bf84115438 Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
413+50.38 грн
Мінімальне замовлення: 413
В кошику  од. на суму  грн.
IPA093N06N3GXKSA1 IPA093N06N3GXKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002837578-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA093N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0078 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+122.92 грн
10+101.76 грн
100+81.40 грн
500+47.70 грн
1000+43.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPA093N06N3GXKSA1 IPA093N06N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E99F44220F611C&compId=IPA093N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=87044a85167c1e9177d48340fcf91e0c88be2e0d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA093N06N3GXKSA1 IPA093N06N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPA093N06N3_Rev2+0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a3043284aacd8012882bf84115438 Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA093N06N3GXKSA1 IPA093N06N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E99F44220F611C&compId=IPA093N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=87044a85167c1e9177d48340fcf91e0c88be2e0d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.