Технічний опис IPA093N06N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA093N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 7800 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPA093N06N3GXKSA1 за ціною від 45.19 грн до 81.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPA093N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPA093N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPA093N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPA093N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 18624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPA093N06N3GXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA093N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 7800 µohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPA093N06N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 396+ | 45.19 грн |
| IPA093N06N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 343+ | 58.03 грн |
| IPA093N06N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 429+ | 81.95 грн |
| 500+ | 73.76 грн |
| IPA093N06N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 18624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 429+ | 81.95 грн |
| 500+ | 73.76 грн |
| 1000+ | 68.03 грн |
| 10000+ | 58.48 грн |
| IPA093N06N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA093N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 7800 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IPA093N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 7800 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





