
IPA105N15N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 134.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA105N15N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 37A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 37A, 10V, Power Dissipation (Max): 40.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 75 V.
Інші пропозиції IPA105N15N3GXKSA1 за ціною від 178.64 грн до 514.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA105N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 40.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 75 V |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPA105N15N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 37A; 40.5W; TO220FP Mounting: THT Drain-source voltage: 150V Drain current: 37A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 40.5W Polarisation: unipolar Case: TO220FP Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPA105N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPA105N15N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 37A; 40.5W; TO220FP Mounting: THT Drain-source voltage: 150V Drain current: 37A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 40.5W Polarisation: unipolar Case: TO220FP Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 146 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IPA105N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IPA105N15N3GXKSA1 Код товару: 125683
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|