IPA126N10NM3SXKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPA126N10NM3SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 39 A, 0.0109 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 153.50 грн |
| 10+ | 86.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA126N10NM3SXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPA126N10NM3SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 39 A, 0.0109 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPA126N10NM3SXKSA1 за ціною від 85.03 грн до 198.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA126N10NM3SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 39A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V |
на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| IPA126N10NM3SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Power Transistor MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||
| IPA126N10NM3SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA126N10NM3SXKSA1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
IPA126N10NM3SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
товару немає в наявності |