IPA126N10NM3SXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 39A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 200.12 грн |
| 50+ | 95.07 грн |
| 100+ | 85.53 грн |
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Технічний опис IPA126N10NM3SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA126N10NM3SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 39 A, 0.0109 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, Verlustleistung: 33W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm.
Інші пропозиції IPA126N10NM3SXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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IPA126N10NM3SXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA126N10NM3SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 39 A, 0.0109 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V Verlustleistung: 33W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPA126N10NM3SXKSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA126N10NM3SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 39 A, 0.0109 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 33W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm
Description: INFINEON - IPA126N10NM3SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 39 A, 0.0109 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 33W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)