 
IPA50R140CP Infineon Technologies
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2+ | 351.93 грн | 
| 10+ | 208.14 грн | 
| 100+ | 156.55 грн | 
| 500+ | 113.02 грн | 
| 1000+ | 111.50 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA50R140CP Infineon Technologies
Description: IPA50R140 - 500V COOLMOS N-CHANN, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-111, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V. 
Інші пропозиції IPA50R140CP за ціною від 199.41 грн до 199.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPA50R140CP | Виробник : Infineon |  Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 320mOhm; 23A; 34W; -55°C ~ 150°C;  IPA50R140CPXKSA1 IPA50R140CP TIPA50r140cp кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 2 шт:термін постачання 28-31 дні (днів) | 
 | |||||
| IPA50R140CP | Виробник : Infineon |  Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 320mOhm; 23A; 34W; -55°C ~ 150°C;  IPA50R140CPXKSA1 IPA50R140CP TIPA50r140cp кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 10 шт:термін постачання 28-31 дні (днів) | 
 | |||||
| IPA50R140CP Код товару: 155814 
            
                            Додати до обраних
                Обраний товар
                 |  Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | |||||||
| IPA50R140CP | Виробник : Infineon Technologies |  Description: IPA50R140 - 500V COOLMOS N-CHANN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V | товару немає в наявності |