IPA50R190CEXKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA50R190CEXKSA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPA50R190CEXKSA2 за ціною від 61.45 грн до 173.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA50R190CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPA50R190CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPA50R190CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPA50R190CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V |
на замовлення 896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPA50R190CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
на замовлення 994 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPA50R190CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPA50R190CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPA50R190CEXKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.5A; 32W; TO220FP Drain-source voltage: 500V Drain current: 18.5A On-state resistance: 0.19Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 32W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPA50R190CEXKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.5A; 32W; TO220FP Drain-source voltage: 500V Drain current: 18.5A On-state resistance: 0.19Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 32W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP |
товару немає в наявності |