IPA50R280CEXKSA2

IPA50R280CEXKSA2 Infineon Technologies


27432818416744dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d4614815da8.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 288 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA50R280CEXKSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA50R280CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30.4W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPA50R280CEXKSA2 за ціною від 40.59 грн до 144.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CEXKSA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R280CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 30.4W; TO220FP
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30.4W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+82.38 грн
6+ 68.85 грн
10+ 60.5 грн
16+ 52.85 грн
43+ 50.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CEXKSA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R280CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 30.4W; TO220FP
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30.4W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+98.86 грн
4+ 85.79 грн
10+ 72.6 грн
16+ 63.42 грн
43+ 60.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies DS_IPA50R280CE_2_2.pdf?fileId=5546d4614815da880148594e0dbc1751 Description: MOSFET N-CH 500V 7.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 30.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.66 грн
10+ 78.51 грн
100+ 61.04 грн
500+ 48.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPA50R280CE_DS_v02_04_EN-3164086.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 752 шт:
термін постачання 264-273 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.04 грн
10+ 89.06 грн
100+ 61.49 грн
500+ 51.94 грн
1000+ 41.93 грн
5000+ 40.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CEXKSA2 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002220287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA50R280CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.4W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+122.82 грн
10+ 101.1 грн
100+ 78.64 грн
500+ 59.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPA50R280CEXKSA2 Виробник : Infineon DS_IPA50R280CE_2_2.pdf?fileId=5546d4614815da880148594e0dbc1751 Транз. пол. БМ TO-220FP MOSFET N-CH 500V 7,5A
на замовлення 184 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+144.87 грн
10+ 124.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies 27432818416744dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d4614815da8.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies 27432818416744dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d4614815da8.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній