IPA50R280CEXKSA2 Infineon Technologies


27432818416744dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d4614815da8.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 18.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
326+43.14 грн
335+41.96 грн
500+39.31 грн
1000+37.31 грн
Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA50R280CEXKSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA50R280CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 30.4W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm.

Інші пропозиції IPA50R280CEXKSA2 за ціною від 34.60 грн до 109.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CEXKSA2 Infineon Technologies 27432818416744dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d4614815da8.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 18.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.16 грн
18+43.21 грн
100+42.03 грн
500+37.97 грн
1000+34.60 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CEXKSA2 Infineon Technologies 27432818416744dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d4614815da8.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 18.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 121500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+64.17 грн
61000+58.64 грн
91500+54.56 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R280CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 30.4W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 30.4W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.00 грн
10+57.98 грн
50+44.97 грн
100+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CEXKSA2 Infineon Technologies DS_IPA50R280CE_2_2.pdf?fileId=5546d4614815da880148594e0dbc1751 Description: MOSFET N-CH 500V 18.1A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Power Dissipation (Max): 30.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.30 грн
50+50.00 грн
100+44.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CEXKSA2 INFINEON INFN-S-A0002220287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA50R280CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CEXKSA2 Infineon Technologies Infineon-IPA50R280CE-DS-v02_04-EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R280CEXKSA2 27432818416744dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d4614815da8.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 18.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+49.16 грн
18+43.21 грн
100+42.03 грн
500+37.97 грн
1000+34.60 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R280CEXKSA2 27432818416744dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d4614815da8.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 18.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 121500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+64.17 грн
61000+58.64 грн
91500+54.56 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CE-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 30.4W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 30.4W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+102.00 грн
10+57.98 грн
50+44.97 грн
100+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R280CEXKSA2 DS_IPA50R280CE_2_2.pdf?fileId=5546d4614815da880148594e0dbc1751
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 18.1A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Power Dissipation (Max): 30.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+109.30 грн
50+50.00 грн
100+44.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R280CEXKSA2 INFN-S-A0002220287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA50R280CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R280CEXKSA2 Infineon-IPA50R280CE-DS-v02_04-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.