IPA50R500CE Infineon technologies


INFN-S-A0002220388-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon technologies

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA50R500CE Infineon technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V, Power Dissipation (Max): 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-31, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPA50R500CE

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPA50R500CE IPA50R500CE Виробник : Infineon Technologies INFN-S-A0002220388-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
товар відсутній
IPA50R500CE IPA50R500CE Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPA50R500CE_DS_v02_02_EN-3164051.pdf MOSFET N-Ch 500V 5.4A TO220FP-3 CoolMOS CE
товар відсутній