на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.99 грн |
| 10+ | 64.51 грн |
| 100+ | 38.24 грн |
| 500+ | 32.00 грн |
| 1000+ | 27.21 грн |
| 2500+ | 24.67 грн |
| 5000+ | 22.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA50R800CE Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V, Power Dissipation (Max): 26.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPA50R800CE
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA50R800CE | Виробник : Infineon technologies |
 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IPA50R800CE | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V Power Dissipation (Max): 26.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |