| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 102.42 грн |
| 10+ | 62.10 грн |
| 100+ | 35.60 грн |
| 500+ | 27.94 грн |
| 1000+ | 23.83 грн |
| 2500+ | 21.60 грн |
| 5000+ | 19.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA50R800CE Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V, Power Dissipation (Max): 26.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPA50R800CE
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA50R800CE | Infineon technologies |
|
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPA50R800CE |
![]() |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



