IPA50R800CEXKSA2 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPA50R800CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.4W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 70.82 грн |
| 19+ | 45.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA50R800CEXKSA2 INFINEON
Description: INFINEON - IPA50R800CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26.4W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPA50R800CEXKSA2 за ціною від 21.92 грн до 97.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA50R800CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 1655 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA50R800CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 4.1A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V Power Dissipation (Max): 26.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA50R800CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IPA50R800CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPA50R800CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPA50R800CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IPA50R800CEXKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA50R800CEXKSA2 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |