IPA60R060P7 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 672.06 грн |
| 25+ | 643.18 грн |
| 50+ | 618.67 грн |
| 100+ | 576.34 грн |
| 250+ | 517.46 грн |
| 500+ | 483.25 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
22 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R060P7 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 29W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 60mΩ, Mounting: THT, Power dissipation: 29W, Polarisation: unipolar, Technology: CoolMOS™ P7, Drain current: 30A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 600V, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: tube, Case: TO220FP.
Інші пропозиції IPA60R060P7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA60R060P7 | Infineon Technologies |
 MOSFETs HIGH POWER_NEW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IPA60R060P7 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 29W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Power dissipation: 29W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 30A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220FP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IPA60R060P7 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPA60R060P7 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 29W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 29W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.