IPA60R060P7 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 559.97 грн |
| 25+ | 535.91 грн |
| 50+ | 515.49 грн |
| 100+ | 480.21 грн |
| 250+ | 431.16 грн |
| 500+ | 402.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA60R060P7 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 29W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 30A, Power dissipation: 29W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 60mΩ, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції IPA60R060P7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA60R060P7 | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFETs HIGH POWER_NEW |
товару немає в наявності |
|
 |
IPA60R060P7 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 29W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 29W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |